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階段接合 かいだんせつごうstep junction; abrupt junction

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

階段接合
かいだんせつごう
step junction; abrupt junction

半導体のp-n接合において,接合付近にはイオン化不純物の存在する空間電荷層があり,p型領域にはイオン化したアクセプタが,n型領域にはイオン化したドナーが存在する。接合面においてこれらの不純物密度の分布が階段状に急な変化をするp-n接合を階段接合という。p-n接合を数式的に解析する際に基本的なモデルとして取扱われており,接合容量は電圧の -1/2 乗に依存することが知られている。合金接合では階段接合に近い状態が実現されていると考えられる。これに対して,不純物密度の分布が接合付近でゆるやかに変化しているものを傾斜接合という。

出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について | 情報

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