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ショットキー Walter Schottky

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世界大百科事典 第2版の解説

ショットキー【Walter Schottky】

1883‐1976
スイス出身でドイツで活躍した物理学者電子放出や整流現象を研究し,高周波増幅を安定に行える遮へい格子四極真空管を発明した。チューリヒに生まれ,ベルリン大学でM.プランクの下で学んだ。ロストク大学の教授をつとめ,ジーメンス社の通信研究所を指導した。金属から真空への電子放出を研究し,鏡像力を考慮したショットキー放出の理論を発表,そして,電子放出の不均一性による真空管の雑音について解明した。また,半導体と金属の接触を研究し,1939年ころにショットキーバリヤー理論や拡散整流理論を提唱した。

出典|株式会社日立ソリューションズ・クリエイト
All Rights Reserved. Copyright (C) 2015, Hitachi Solutions Create,Ltd. 収録データは1998年10月に編集製作されたものです。それぞれの用語は執筆時点での最新のもので、常に最新の内容であることを保証するものではありません。また、本文中の図・表・イラストはご提供しておりません。

世界大百科事典内のショットキーの言及

【集積回路】より

…トランジスターでプレーナー技術を開発したフェアチャイルド社は,直ちにICへの応用を開始し,以後両社はIC産業において先導的役割を果たしてきた。
[MOS ICの発達]
 一方,半導体の表面物性に関する研究は長い歴史があり,1939年には,ショットキーW.Schottky(1886‐1976)の表面障壁の理論が出され,今日でもショットキーバリアSchottky barrierとしてLSIに利用されている。また,1935年にはヘイルO.Heilが現在のMOSトランジスター(MOSはmetal oxide semiconductorの略で,金属と半導体の間にケイ素酸化物などの薄い絶縁層をはさんで作ったトランジスター)の基本的特許を出願している。…

【集積回路】より

…トランジスターでプレーナー技術を開発したフェアチャイルド社は,直ちにICへの応用を開始し,以後両社はIC産業において先導的役割を果たしてきた。
[MOS ICの発達]
 一方,半導体の表面物性に関する研究は長い歴史があり,1939年には,ショットキーW.Schottky(1886‐1976)の表面障壁の理論が出され,今日でもショットキーバリアSchottky barrierとしてLSIに利用されている。また,1935年にはヘイルO.Heilが現在のMOSトランジスター(MOSはmetal oxide semiconductorの略で,金属と半導体の間にケイ素酸化物などの薄い絶縁層をはさんで作ったトランジスター)の基本的特許を出願している。…

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