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リソグラフィー技術 りそぐらふぃーぎじゅつ lithography technology

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知恵蔵2015の解説

リソグラフィー技術

LSI製造で、ガラスマスク上に描かれた微細な素子パターンを、光を用いて半導体ウエハ上に転写する技術。マスクを通して感光性樹脂を塗布した半導体ウエハ上に光を照射し、パターンを感光性樹脂上に転写する。LSI微細化の鍵を握る重要な技術で、現在では波長193nm(n〈ナノ〉は10億分の1)のArFエキシマー・レーザーの利用や光学系の改善、感光性樹脂の感度向上、液浸と呼ばれるウエハを水に浸して解像度を上げる技術などにより30nm程度の素子でも加工できるようになった。それ以下の加工には、波長13.5nm近傍の極端紫外光(EUV:Extreme Ultra Violet)を利用するリソグラフィー技術が検討されている。

(荒川泰彦 東京大学教授 / 桜井貴康 東京大学教授 / 2007年)

出典|(株)朝日新聞出版発行「知恵蔵2015」
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