二次イオン質量分析法（読み）にじイオンしつりょうぶんせきほう

最新 地学事典

にじイオンしつりょうぶんせきほう
二次イオン質量分析法

secondary ion mass spectrometry

表面分析法の一つ。イオン源でO⁻やCs⁺などの一次イオンを発生させ，加速・収束させて固体表面に照射し，スパッタリング現象で放出された試料表面原子のうち，イオン化した原子または分子（二次イオン）を質量分析する。SIMS（シムス）と略記。装置を二次イオン質量分析計またはイオンマイクロプローブという。水素からウランまでの元素の高感度微量元素分析が可能。質量分析部の相違で四重極型（Q-pole）SIMSや飛行時間型（TOF）SIMSがある。地球科学で使われる二重収束型（セクター型）SIMSは高い質量分解能をもつ。一次ビームを細く絞る局所分析で，深さ方向にも測定。試料表面は平滑にし，炭素または金蒸着して分析。

執筆者：圦本 尚義・森下 祐一

参照項目：マトリックス効果
参照項目：イオンマイクロプローブ

出典　平凡社「最新 地学事典」