ショットキー・バリア・ダイオード（その他表記）Schottky barrier diode

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ショットキー・バリア・ダイオード
Schottky barrier diode

金属と半導体の接触によって生じる整流効果 (ショットキー障壁) を利用したダイオード。この整流理論の確立に貢献した研究者のショットキー W.Schottkyに由来する。p-n接合ダイオードに比べると次のような特色がある。 (1) 順方向電流が多数キャリア (多数担体) で構成されているので，少数キャリア蓄積効果がほとんどない。このためスイッチング速度が速く，超高周波域での特性がすぐれている。 (2) 順方向電圧降下が小さい。 (1) はマイクロ波帯で用いられるダイオードに，(2) は大電力用整流器に生かされている。半導体としてシリコンやヒ化ガリウムが，金属には金やモリブデンなどが用いられる。

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