略称CVD法.気相成長法のうち,混合気体原料をキャリヤーとともに流し,反応によって基板上に単結晶を析出させる方法で,一種の気相エピタキシー成長法である.この方法によるシリコン単結晶層の成長が,ブレーナー型トランジスターやICなどの技術を可能にした.最近では,この方法によるGaAsなどの化合物半導体,さらにはフェライトなどの磁性体の単結晶層成長も行われている.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
1 多数の語を集録し、一定の順序に配列して一つの集合体として、個々の語の意味・用法、またはその示す内容について記したもの。語のほかに接辞や連語・諺なども収める。また、語の表記単位である文字、特に漢字を...