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ALE エーエルイー atomic layer epitaxy

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

ALE
エーエルイー
atomic layer epitaxy

半導体等の単結晶を単原子層ずつ制御して基板上に成長させる新しい結晶成長技術の一つ。縦方向および横方向の寸法を nmレベル超微細構造とすることにより,量子井戸レーザー超格子素子など,従来の素子とは動作原理の異なる量子効果を利用する機能素子が実現できる。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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大辞林 第三版の解説

ALE

〖atomic layer epitaxy〗
原子層エピタキシー法。半導体製造技術の一。

出典|三省堂
(C) Sanseido Co.,Ltd. 編者:松村明 編 発行者:株式会社 三省堂 ※ 書籍版『大辞林第三版』の図表・付録は収録させておりません。 ※ それぞれの用語は執筆時点での最新のもので、常に最新の内容であることを保証するものではありません。

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