ガリウムヒ素ショットキー・ダイオード（読み）ガリウムヒそショットキー・ダイオード（その他表記）gallium arsenide Schottky diode

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

ガリウムヒ素ショットキー・ダイオード
ガリウムヒそショットキー・ダイオード
gallium arsenide Schottky diode

ガリウムヒ素 (ヒ化ガリウム ) の半導体基板上に，真空蒸着，電気メッキ，化合物からの分解などの方法で，金，ニッケル，タングステン，モリブデン，バナジウムなどの金属薄膜を形成し，ショットキー型の障壁を形成したものである。半導体から金属に注入されるキャリア (担体) により導電が行われ，少数キャリアの半導体側への注入はない。ガリウムヒ素の電子移動度の大きいことを利用したこの種のダイオードは，マイクロ波，ミリ波の小信号発振素子，同じく検波，ミキサ，パラメトロン用素子に用いられる。

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