一般に,粒子系がある変化をするときに越えなければならないポテンシャル障壁をいう.【Ⅰ】金属と半導体あるいは半導体どうしを接触させると,両者のフェルミ準位が一致するため,半導体の表面付近でエネルギー準位の曲がりによりポテンシャルの山が生じる.これを電位障壁あるいは単に障壁とよぶ.この障壁の厚さは数 μm 以下である.【Ⅱ】分子が化学変化をするとき,原系と生成系との間にあるポテンシャルの山(活性化エネルギー)を越えなければならない.また,一重結合のまわりで両側の原子団が回転するときにもポテンシャル障壁がある(分子内回転).原子核のα崩壊で,α粒子は核表面にある障壁を透過して放出される.一般に,障壁の高さが低く,壁の厚さが薄いほどトンネル効果の確率は大きくなる.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報
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出典 平凡社「普及版 字通」普及版 字通について 情報
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