シリコン窒化膜（読み）シリコンちっかまく（その他表記）silicon nitride thin film

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

シリコン窒化膜
シリコンちっかまく
silicon nitride thin film

シリコン (ケイ素) と窒素の化合物 Si₃N₄ の薄膜。反応性スパッタリング，あるいは SiH₄－NH₃ 系，SiCl₄－NH₃ 系の熱分解によってシリコンウエハ上などに形成される。通常は非晶質。二酸化シリコン SiO₂ と同様に化学的に安定な絶縁物である。ナトリウムなどのアルカリ金属イオンが膜中を移動する速度が Si₃N₄ 中では SiO₂ 中より遅いことが一つの特色で，このために，MOS型トランジスタの SiO₂ を Si₃N₄ に置き換えると特性が安定するとされている。また，金属 －Si₃N₄－SiO₂－ シリコン構造でゲートに電圧を印加して Si₃N₄ に高電界をかけると Si₃N₄ に電子を注入・捕獲させることができる。この電荷は半永久的に空間電荷として存在し，この電荷の有無によって MOSトランジスタにオンあるいはオフ状態を記憶させることができる。このような素子は ROM (読出し専用メモリ) あるいは EAROM (書き換え可能な読出し専用メモリ) として使用されている。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典