電子線後方散乱回折法(読み)でんしせんこうほうさんらんかいせつほう

最新 地学事典 「電子線後方散乱回折法」の解説

でんしせんこうほうさんらんかいせつほう
電子線後方散乱回折法

electron back scatter diffraction

走査電子顕微鏡内で細く絞った電子ビームを試料へ照射して得られる後方散乱回折図形(菊池線パターンもしくは菊池パターンと呼ばれる)から試料の結晶方位測定する手法略称はEBSD。電子ビームに対して試料を通常70゜ほど傾斜させて測定を行う。回折図形は,試料表面の厚さ数十nmほどの領域から励起されるため,通常の鏡面研磨の後,コロイダルシリカを用いた化学機械研磨によって試料準備を行う。試料上で電子ビームをスキャンして結晶方位マッピング像を取得すれば,結晶粒のサイズや歪みなどの情報も得ることができる。

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出典 平凡社「最新 地学事典」最新 地学事典について 情報

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