インジウムリン半導体（読み）インジウムリンはんどうたい（その他表記）InP semiconductor

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 「インジウムリン半導体」の意味・わかりやすい解説

インジウムリン半導体
インジウムリンはんどうたい
InP semiconductor

III族のインジウムとV族のリンが共有結合した半導体。インジウムリンは，バンドギャップエネルギー 1.35eV (室温) ，融点 1055℃。この材料は1μm帯光伝送システム用光源である半導体レーザー，アバランシェ・フォトダイオードに使われている。

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