光起電力効果を用いて光信号を電気信号にかえる電子素子の一種.光電池ではその起電力を利用し,負荷に電流を流して電気信号を取り出すのに比べて,フォトダイオードは逆方向のバイアス電圧を加えておき,光の照射による逆方向電流の増加を検出することが特徴である.このため,これは光起電力を生じる接合部での極性をもった光導電素子とみることもできる.図は静特性の例であるが,光の強さを一定に保てば接合部で発生する電子と正孔の数が一定であるために,電圧をかえても光電流はかわらず,ほぼ一定の値となる.p-n接合やショットキー接合を利用したものが一般的であるが,より高感度でより高速の目的に,半導体中のなだれ増倍効果を利用したアバランシェフォトダイオードも開発されている.光電子増倍管などに比べて量子効率が高いうえに,動作電圧が低く,小型である特徴をもっている.
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…この現象を光起電力効果という。 測光用光電素子としては光電面を使用する光電管と光電子増倍管,内部光電効果を用いる光導電セル,光起電力セル,フォトダイオード,フォトトランジスターがある。光電効果
[光電管photoelectric tube]
光電面と陽極をもつ二極真空管で光電子流を測定する。…
…半導体のp‐n接合を用いるものが広く実用されており,代表的なものが可視域を中心に用いられているシリコンセルで,太陽電池もほぼ同じ形態をとる。光起電型検出器のp‐n接合に逆バイアスを与えたものは良好な測光用検出器として動作し,これをフォトダイオードと呼んでいる。基材としてはSiやGeのほかに,とくに赤外域ではInSb,InAs,HgCdTeなどが用いられる。…
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出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」
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