ダブルベース・ダイオード（その他表記）double-base diode

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

ダブルベース・ダイオード
double-base diode

中央付近にp-n接合を1つだけもった半導体の両端にそれぞれオーム接触をつけた3端子素子。オーム接触の電極を通して直流を流しておき，中央付近のp-n接合を逆バイアス状態から順バイアスしたときに，p型からn型へ正孔の注入が起って半導体結晶内で伝導度変調が起り，図の端子Eと B₁ の間の抵抗が下がる。同時に接合直下の電位が下がってさらに多数の正孔が注入され，端子 EB₁ 間の電圧が急激に下がり，負性抵抗が現れる。1つの接合しかもたないのに伝導度変調を起すので商品名として「ユニジャンクション・トランジスタ」ともいう。通常は半導体材料としてシリコンを用いる。サイリスタのトリガ回路，遅延回路，弛張発振回路などに使用される。

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