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ダブルベース・ダイオード double-base diode

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

ダブルベース・ダイオード
double-base diode

中央付近にp-n接合を1つだけもった半導体の両端にそれぞれオーム接触をつけた3端子素子。オーム接触の電極を通して直流を流しておき,中央付近のp-n接合を逆バイアス状態から順バイアスしたときに,p型からn型へ正孔の注入が起って半導体結晶内で伝導度変調が起り,図の端子Eと B1 の間の抵抗が下がる。同時に接合直下の電位が下がってさらに多数の正孔が注入され,端子 EB1 間の電圧が急激に下がり,負性抵抗が現れる。1つの接合しかもたないのに伝導度変調を起すので商品名として「ユニジャンクション・トランジスタ」ともいう。通常は半導体材料としてシリコンを用いる。サイリスタのトリガ回路,遅延回路,弛張発振回路などに使用される。

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