光CVD法(読み)ひかりシーブイディーほう(その他表記)photo-chemical vapor deposition method

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 「光CVD法」の意味・わかりやすい解説

光CVD法
ひかりシーブイディーほう
photo-chemical vapor deposition method

光エネルギーを利用した薄膜堆積方法。半導体素子の微細化,高性能化に伴い,製造プロセスの低温化が要求されており,これに対応する薄膜形成技術として開発された。光源として水銀ランプ(→高圧放電ランプ),エキシマレーザーアルゴンレーザーなどが使われる。原料のガスをこれらの光源で直接励起する方法と,基板およびその吸着物を励起する方法に分けられ,さらに紫外光により電子励起を起こすものと,赤外領域の光で分子振動・回転励起を起こすものがある。また水銀などの光増感剤をガスに混入する方法もある。反応ガスは,シリコン膜にはシランまたはジシランを,シリコン酸化膜の堆積にはそれに酸化窒素,シリコン窒化膜にはそれにアンモニアを混合させる。レーザー光源を用いることにより局所的に膜を堆積できるため,大規模集積回路 LSI配線パターンの修正や配線直描などの応用もある。

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