光CVD法 ひかりシーブイディーほうphoto-chemical vapor deposition method

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

光CVD法
ひかりシーブイディーほう
photo-chemical vapor deposition method

光エネルギーを利用した薄膜堆積方法。半導体素子の微細化，高性能化に伴い，製造プロセスの低温化が要求されており，これに対応する薄膜形成技術として開発された。光源として水銀ランプ（→高圧放電ランプ），エキシマレーザー，アルゴンレーザーなどが使われる。原料のガスをこれらの光源で直接励起する方法と，基板およびその吸着物を励起する方法に分けられ，さらに紫外光により電子励起を起こすものと，赤外領域の光で分子の振動・回転励起を起こすものがある。また水銀などの光増感剤をガスに混入する方法もある。反応ガスは，シリコン膜にはシランまたはジシランを，シリコン酸化膜の堆積にはそれに酸化窒素，シリコン窒化膜にはそれにアンモニアを混合させる。レーザー光源を用いることにより局所的に膜を堆積できるため，大規模集積回路 LSI配線パターンの修正や配線直描などの応用もある。

出典｜ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典