MOCVD（読み）エムオーシーブイディー（英語表記）metal organic chemical vapor deposition

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

MOCVD
エムオーシーブイディー
metal organic chemical vapor deposition

有機金属原料を用いた気相成長法で，GaAs (ガリウムヒ素) や AlGaAs (アルミニウムガリウムヒ素) などのエピタキシャル結晶を成長させる量産性に優れた方法 (→エピタキシャル技術 ) 。通常，Al (アルミニウム) ，Ga (ガリウム) ，In (インジウム) などの III族元素のアルキル化合物は常温で液体であり，キャリアガスによってバブリングさせ，反応チャンバに送る。V族の元素である As (ヒ素) ，P (リン) などは水素化物原料を利用する。比較的低温度で結晶成長が可能であり，不純物プロファイルを急峻にできる。異種基板へのヘテロエピタクシーが可能であり，ハロゲン化物を使う CVDと比べて基板や石英反応管のエッチングがない特長がある反面，成長層に炭素が混入するなどの問題がある。

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