ドライエッチング

デジタル大辞泉

ドライ‐エッチング（dry etching）

半導体集積回路などの微細回路を作製する際、プラズマガスやイオンを用いて、不必要な部分を取り去ること。乾式エッチング。→エッチング3 →プラズマエッチング

出典　小学館

百科事典マイペディア

ドライエッチング

集積回路（IC）の形成など半導体を加工する際に，半導体基板の表面薄膜または半導体の一部を削り取るのに，反応性イオンガスやプラズマガスを用いる方法。フッ化水素酸溶液などを用いるウェットエッチングと対比していう。ドライエッチングのほうが，より微細な精密加工ができるので，現在のLSI製造プロセスでは主流になっている。
→関連項目イオン工学｜ドライプロセス

出典　株式会社平凡社

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

ドライエッチング

「乾式エッチング」のページをご覧ください。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

世界大百科事典（旧版）内のドライエッチングの言及

【集積回路】より

…(7)エッチング　本来は金属表面を化学薬品で腐食させることであるが，ICでは，パターン転写後に薄膜の不要部分を除去することおよびあるプロセスで使用した薄膜をその後の工程のために全面的に除去することをいう。従来はもっぱら液体の薬品(フッ酸，塩酸，硝酸，硫酸など)を使用するウェットエッチングであったが，最近はガス(CF₄など)放電による活性基でエッチングするドライエッチングが多く用いられている。　フォトエッチングと呼ばれるプロセスは，露光，現像によってパターン形成したフォトレジストをマスクとしてその下地をエッチングする方法である。…

【プラズマ化学】より

…　プラズマを利用した蒸発過程(エッチング)は，ICやLSIなど半導体微細加工技術として重要性を増している。シリコンウエハーに画像を描画する際，シリコン層や有機レジスト層の薄膜を除去する過程が必要であるが，プラズマを利用してこれを行うことが可能であり，ドライエッチングと呼ばれる。シリコン層の場合はフルオロカーボンのプラズマで処理すると分解生成物がシリコン層と反応し，SiF₄となって気化除去される。…

※「ドライエッチング」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」