ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典 「プラズマエッチング」の意味・わかりやすい解説 プラズマエッチングplasma etching 半導体素子製作工程の一つであるエッチングを低温ガスプラズマ中で行うもので，従来の化学エッチングに比べて，同時に大量に処理でき，鮮明なエッジが得られ，工程が簡単になる。これを用いると半導体素子作製に化学薬品や水を使用しないドライプロセスが達成できる。通常，石英またはアルミ製反応管に 0.1～10トルのハロゲン系ガス (主としてフッ素化合物，たとえば CF4 ) などを入れ，外側のコイルあるいは対向電極に 13.56MHzの高周波電力を与えて反応管中に低温のガスプラズマを製作し，その中にできるハロゲン系の活性化学種によりシリコン (ケイ素) あるいは二酸化シリコン，四窒化三シリコンなどをエッチングする。エッチング速度は，ガスの組成，ガスプラズマの濃度，エッチされる物質により変化する。 出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報
