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インジウムリン半導体 インジウムリンはんどうたい InP semiconductor

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

インジウムリン半導体
インジウムリンはんどうたい
InP semiconductor

III族のインジウムとV族のリンが共有結合した半導体。インジウムリンは,バンドギャップエネルギー 1.35eV (室温) ,融点 1055℃。この材料は1μm帯光伝送システム用光源である半導体レーザー,アバランシェ・フォトダイオードに使われている。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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