ヒ化インジウム（読み）ヒカインジウム

化学辞典 第2版

ヒ化インジウム
ヒカインジウム
indium arsenide

InAs(189.74)．インジウムヒ素ともいう．真空封管中で，InとAsとを約560 ℃ で反応させるか，真空中でInCl₃とAsとを反応させると得られる．金属光沢があり，外観は金属に似た灰色の立方晶系結晶．せん亜鉛鉱型構造．密度5.67 g cm^－3．融点942 ℃．比誘電率11.7．直接遷移型のⅢ-Ⅴ半導体で，バンドギャップ0.35 eV(300 K)．空気中では，450 ℃ 以上で酸化される．無機酸に難溶，王水に可溶．半導体材(IR検出素子，磁気抵抗素子，ホール素子など)に用いられる．[CAS 1303-11-3]

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」