トランジスタなどの電子素子を三次元(立体)的に配置して小形にまとめた集積回路。半導体の二次元集積技術はサブミクロン(1ミクロン以下の精度)になってはいるものの、消費エネルギーなどから集積化に限界があるので、配線長の短縮、高密度集積化を可能にするために三次元回路素子が開発されている。三次元回路素子を構成する基本技術は、絶縁物である酸化シリコン膜を挟んでシリコン・ウェハーを貼り合わせるとか、酸化膜の上に新たにシリコンの基板をつくり、その上に新しい電子回路を組み立てることである。実際、貼り合わせによる2層構造の集積回路や、絶縁層の上にレーザー再結晶法でポリシリコン層をつくり、3層構造にしたものがある。三次元回路素子の利点は高密度集積化のほかに、階層に応じて適正な素子の組込みが可能で、漂遊容量は小さく、磁気結合には有利で、並行・並列処理の必要なマイクロマシンなどに適している。
[岩田倫典]