再結合中心（読み）サイケツゴウチュウシン

化学辞典 第2版

再結合中心
サイケツゴウチュウシン
recombination center

絶縁体あるいは半導体などで，伝導帯中の電子と価電子帯中の正孔とは，それが平衡状態にあろうと非平衡状態にあろうと，互いに絶えず新しく発生したり，結合したりしている．この結合の仕方について調べてみると，両者は直接バンドからバンドへの落ち込みによるものでなくて，禁止帯中にあるエネルギー準位を通して行っていることが明らかとなった．これらの準位は固体中に混入した化学的な不純物，あるいは格子欠陥によって生じる再結合中心によるものである．つまり，電子はいったんこれらの準位に落ち込んだ後，正孔と結合するもので，このため再結合に要する時間が長くなり，また結合によって失われるエネルギーが光として放射される場合には，禁止帯幅に相当するよりも長波長の発光を伴う．

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

再結合中心
さいけつごうちゅうしん
recombination center

半導体や絶縁体中に生成された過剰キャリア (電子と正孔) が再結合する過程において，いずれか一方のキャリアが捕獲され，それに他のキャリアが出会って再結合するもととなるものを再結合中心という。不純物原子や空格子点あるいは結晶表面，他物質との界面などがその役割を果す。たとえば，シリコンでは，微量に含まれるニッケルや金などが再結合中心として働くことが知られている。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典