略称OUM.カルコゲニド薄膜が加熱後の冷却速さにより,アモルファスと結晶に変化することを利用して,Intel社とOvonyx社が開発したメモリーデバイス.スパッター(陰極スパッター)などで形成した薄膜に,小さな抵抗加熱できる部分を接触させ,600 ℃ 以上に加熱して電流を止めると,2 ns 程度で急冷され,結晶化できずアモルファス状態となる.これに対して,電流を小さくして膜がアニール(焼なまし)されている状態を20~50 ns 程度保てるようにして結晶化する.アモルファスと結晶では膜の抵抗が数十倍程度違うことで0と1の二つの状態をつくりだし,メモリーとして用いる.OUMは読み出し速度が速く,読み出し回数が無制限,非破壊の読み出し方式,セル面積が小さいという特徴がある.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
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