ガンダイオード

世界大百科事典 第2版の解説

ガンダイオード【Gunn diode】

ガン効果を利用し,マイクロ波帯の発振をするダイオード。n型のヒ化ガリウムGaAsやリン化インジウムInPなどに,数kV/cm程度の強い電界を加えると,周波数がダイオード中の電子の走行時間の逆数にほぼ等しい発振現象を生ずる。この現象は1963年にガンJ.B.Gunnにより発見され,ガン効果と呼ばれる。発振の物理的機構はリドリーB.K.Ridley,ワトキンスT.B.Watkins,ヒルサムC.Hilsumにより予測されていたように,低エネルギーの有効質量の小さいエネルギー帯中の電子が,高エネルギーの有効質量の大きいエネルギー帯に遷移することによるので,電子遷移デバイスともいう。

出典 株式会社平凡社世界大百科事典 第2版について 情報

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