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注入型レーザー ちゅうにゅうがたレーザー injection laser

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

注入型レーザー
ちゅうにゅうがたレーザー
injection laser

p-n接合でキャリアを注入し,再結合させることによる発光 (注入型電界発光) を利用した半導体レーザーヒ化ガリウム GaAsのp-n接合で 1962年に発振に成功した。レーザー発振の波長は使用する半導体エネルギー間隙 (エネルギーギャップ ) で決まる。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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