FeRAM（読み）えふいーらむ

日本大百科全書(ニッポニカ)

FeRAM
えふいーらむ

コンピュータのメモリーに用いられるRAM(ラム)の一種。強誘電型読み書きメモリーferroelectric random access memoryの略語。FRAM(エフラム)ともいうが、これはアメリカのラムトロンRamtron社の登録商標であり、富士通は同社とのライセンスによりこの名称を用いている。

　強誘電体は電界の方向により分極が生じ、電界を取り除いてもその状態を保持するための電力は不要である。この性質を利用して、強誘電体薄膜半導体基板に集積して、書き込まれたデータが電源を切らない限り保持されるSRAM(エスラム)（スタティックRAM）または一定時間ごとに書き直しが必要なDRAM(ディーラム)（ダイナミックRAM）に似た回路構成で用いると、SRAMに匹敵する高速読出し・書込み性能、電気的に情報の消去が可能なEEPROM(イーイーピーロム)（electrically erasable and programmable ROM）と同様な不揮発性能、DRAMに相当する回数の読出し・書込みが可能で、低電圧・低消費電力で動作する。膜厚むらを防止する平坦(へいたん)化技術の進展、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）などの強誘電体材料の使用、イオンミリング（イオンビームによる加工）によるエッチング技術の進展などにより、読み書きの高速処理化と大容量化の開発が進められている。

［岩田倫典］

[参照項目] | 強誘電体 | DRAM | RAM

出典　小学館　日本大百科全書(ニッポニカ)

化学辞典 第2版

FeRAM(エフイーラム)
エフイーラム

ferroelectric random access memoryの略称．ゲート絶縁膜に強誘電体を用いた不揮発性メモリー素子のこと．強誘電体は電圧を加えて分極を起こさせると，その後，電圧が加えられていない状態でも分極状態を保持しているため，メモリーとしてはたらかせることができる．構造はDRAM(dynamic random access memory)に似ており，フラッシュラムよりも書き込みの耐久性にすぐれるとされる．

FeRAM
エフイーアールエーエム

ferroelectric random access memoryの略称．[同義異語]FeRAM(エフイーラム)

出典　森北出版「化学辞典（第2版）」