日本大百科全書(ニッポニカ) 「ショックレー」の意味・わかりやすい解説
ショックレー
しょっくれー
William Bradford Shockley
（1910―1989）
アメリカの固体物理学者。ロンドンに生まれる。1932年カリフォルニア工科大学卒業。マサチューセッツ工科大学大学院でスレーターの指導を受け学位取得（1936）後、ベル電話研究所（後のベル研究所）に入所。同研究所半導体研究開発グループの主導者として、pn接合の電子理論を展開、正孔の存在の実証など半導体のトランジスタ効果の発見とその物理的原理を解明し、今日の半導体物理学を確立するとともに、トランジスタの実用化に決定的意味をもった接合トランジスタを発明した。この半導体に関する研究とトランジスタの発明とにより、同僚のブラッテン、バーディーンとともにノーベル物理学賞を受ける（1956）。1955年ショックレー半導体研究所およびトランジスタ会社を設立した。「実用優先」の信念、優生学的人種差別思想、軍の諮問委員としての言動などに対して世上批判も多いが、自説を断じて曲げない姿勢は有名。1949年（昭和24）来日した。
［大友詔雄］
『ショックレー著、川村肇訳『半導体物理学』上下（1957・吉岡書店）』▽『ショックレー、ゴング著、菊地誠訳『メカニックス――ショックレーの物理学』（1968・日本放送出版協会）』▽『中村誠太郎・小沼通二編『ノーベル賞講演 物理学 第8巻』（1980・講談社）』▽『マイケル・リオーダン、リリアン・ホーデスン著、鶴岡雄二、ディーン・マツシゲ訳『電子の巨人たち』上下（1998・ソフトバンク出版事業部）』▽『フレデリック・サイツ、ノーマン・アインシュプラッハ著、堂山昌男・北田正弘訳『シリコンの物語――エレクトロニクスと情報革命を担う』（2000・内田老鶴圃）』
[参照項目] | | | | |