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…n型シリコンを用いてMOSダイオードを作成した場合,金属電極に正電圧を加えるとシリコン表面には電子が誘起されて蓄積層を形成するために,MOSダイオードのアドミタンスは二酸化シリコン膜をはさんだ平行平面コンデンサーとしてのキャパシタンスとなるが,金属電極に負電圧を加えるとシリコン表面は空乏化し,負電圧がさらに大きくなるとシリコン表面には反転層が形成されるので,キャパシタンスは小さくなり図2に示すようにキャパシタンスは電圧により変化する。したがって可変容量ダイオードとして使用されることもあるが,このキャパシタンスの電圧依存性から,シリコン基板と二酸化シリコン膜の界面でのキャリアの捕獲中心の状態密度分布を測定することができるので,評価用試料として使用されることが多い。【菅野 卓雄】。…
※「可変容量ダイオード」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」
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