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ガン効果 ガンこうか Gunn effect

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

ガン効果
ガンこうか
Gunn effect

ガリウムヒ素 (ヒ化ガリウム ) GaAs の板に数千Vの直流電圧を加えたときにマイクロ波を発振する現象で,1963年 J.B.ガンが見出した。これは伝導電子の移動度の電圧に対する勾配が負になる,すなわち負性抵抗特性をもつためで,これと共振回路と結合することで発振動作が生じる。

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デジタル大辞泉の解説

ガン‐こうか〔‐カウクワ〕【ガン効果】

ガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生する現象。1963年に米国IBM社のJ=B=ガンが発見。ガンダイオードというマイクロ波発振素子はこの効果を利用したもの。

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法則の辞典の解説

ガン効果【Gunn effect】

均一なn型のヒ化ガリウム(GaAs) 半導体に高電圧を加えたとき,マイクロ波が発生する.これは1963年にIBM社のガン(J. B. Gunn)が発見したもので,これを利用したマイクロ波素子が「ガンダイオード」である.

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世界大百科事典内のガン効果の言及

【ガンダイオード】より

…ガン効果を利用し,マイクロ波帯の発振をするダイオード。n型のヒ化ガリウムGaAsやリン化インジウムInPなどに,数kV/cm程度の強い電界を加えると,周波数がダイオード中の電子の走行時間の逆数にほぼ等しい発振現象を生ずる。…

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