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ガン効果 ガンこうかGunn effect

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

ガン効果
ガンこうか
Gunn effect

ガリウムヒ素 (ヒ化ガリウム ) GaAs の板に数千Vの直流電圧を加えたときにマイクロ波を発振する現象で,1963年 J.B.ガンが見出した。これは伝導電子の移動度の電圧に対する勾配が負になる,すなわち負性抵抗特性をもつためで,これと共振回路と結合することで発振動作が生じる。このとき内部を流れる伝導電子はまだらな層状をなして移動することが観測される。ガン効果を利用したガンダイオード発振器はミリ波帯で用いられる。リン化インジウム InP やテルル化カドミウム CdTe などでもみられる。

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デジタル大辞泉の解説

ガン‐こうか〔‐カウクワ〕【ガン効果】

ガリウム砒素(GaAs)の半導体に高電圧をかけたときに振動電流が発生する現象。1963年に米国IBM社のJ=B=ガンが発見。ガンダイオードというマイクロ波発振素子はこの効果を利用したもの。

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法則の辞典の解説

ガン効果【Gunn effect】

均一なn型のヒ化ガリウム(GaAs) 半導体に高電圧を加えたとき,マイクロ波が発生する.これは1963年にIBM社のガン(J. B. Gunn)が発見したもので,これを利用したマイクロ波素子が「ガンダイオード」である.

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世界大百科事典内のガン効果の言及

【ガンダイオード】より

…ガン効果を利用し,マイクロ波帯の発振をするダイオード。n型のヒ化ガリウムGaAsやリン化インジウムInPなどに,数kV/cm程度の強い電界を加えると,周波数がダイオード中の電子の走行時間の逆数にほぼ等しい発振現象を生ずる。…

※「ガン効果」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典|株式会社日立ソリューションズ・クリエイト世界大百科事典 第2版について | 情報

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