ガリウムと窒素の化合物で、結晶化したものが青色発光ダイオード(LED)に使われる。従来の材料と比べて電気抵抗が小さいという特徴があり、エネルギーの損失が少なくて済む。頑丈なので大電圧、大量の電流にも耐えられる。結晶の品質を向上させれば、LEDの性能が上がるほか、多様な電気機器の省エネ化が可能になると考えられ、世界の企業や研究者が競っている。結晶化させる過程で反りや割れができやすく、対策が課題となっていた。
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GaN(83.73).暗灰色の固体.GaとNとを反応させて形成した半導体材料で,周期表13~15族半導体に分類される.エネルギーギャップは3.4 eV で,比誘電率9.5の直接遷移半導体である.エネルギーギャップが広いことから,ワイドギャップ系半導体ともいわれる.大きなイオン性をもつため,安定(α)相は六方晶系ウルツ鉱型構造をとり,準安定(β)相として立方晶系せん亜鉛鉱型構造をとる.青色発光素子材料として注目を集めている.窒化ガリウムは欠陥が多く,良好な結晶を得ることが難しいとされていたが,アルミナ(Al2O3)基板上に低温で窒化アルミ(AlN)層をエピタキシャル成長(エピタキシー)させ,その上に窒化ガリウムを成長させる技術の開発が突破口になり,大きく研究が進展してp型制御が可能となった.さらに中村修二らは,低温の窒化アルミのかわりに低温の窒化ガリウム層を用いることで良好な膜質の窒化ガリウムが得られることを報告し,高輝度の青色発光ダイオードが得られるようになった.[CAS 25617-97-4]
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
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