トンネルダイオード

百科事典マイペディアの解説

トンネルダイオード

トンネル効果を応用したpn接合ダイオード。江崎玲於奈(れおな)の発明によるためエサキダイオードともいう。含有活性不純物濃度を高くしてあるので,順方向電圧を増大すると,トンネル効果により禁制帯を通過する電子が増加するが,ある電圧以上では電子の通過が減少し,電圧の増大とともに電流が減少する負性抵抗を示す。この電圧電流特性を利用して増幅,発振,検波などに用いられ(高周波特性がよいのでマイクロ波に好適),またスイッチングが高速なので超高速パルス回路,論理回路,記憶回路などに使用される。
→関連項目エサキダイオードダイオード能動素子

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世界大百科事典 第2版の解説

トンネルダイオード【tunnel diode】

縮退したp型およびn型半導体で形成されたp‐n接合では,空間電荷層の厚さが約100Å程度と薄いために電子のトンネル現象を生じ,順方向に電圧を加えたとき図に示すような負性抵抗を生ずるので,マイクロ波の発振,増幅や超高速スイッチングに使用される。この素子をトンネルダイオード,またはこの現象を1957年に発見した江崎玲於奈の名を冠しエサキダイオードEsaki diodeともいう。p‐n接合では電圧を加えるとトンネル効果により電流が流れ始めるが,順電圧を大きくしていくとトンネル電流が減少して負性抵抗が現れ,さらに順電圧を大きくすれば少数キャリアの注入電流が流れ出すので,電圧制御型の負性抵抗を生ずる。

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