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江崎玲於奈 えさきれおな

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

江崎玲於奈
えさきれおな

[生]1925.3.12. 大阪
物理学者第三高等学校を経て東京帝国大学物理学科を卒業 (1947) 。神戸工業を経て東京通信工業 (現ソニー) に入社 (56) ,半導体研究室で 1957年トンネルダイオード (エサキダイオードとも呼ばれている) を発明。

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デジタル大辞泉の解説

えさき‐れおな【江崎玲於奈】

[1925~ ]物理学者。筑波大学学長。大阪の生まれ。昭和32年(1957)エサキダイオードを発明。昭和48年(1973)、半導体の研究でノーベル物理学賞受賞。翌年、文化勲章受章。

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百科事典マイペディアの解説

江崎玲於奈【えさきれおな】

物理学者。大阪市出身。東大卒。ソニーの前身東京通信工業在籍中の1957年,量子力学の基本となるトンネル効果の実証例を発見,半導体素子トンネルダイオード(エサキダイオード)として結実。
→関連項目ジェーバージョセフソントンネルダイオードノーベル賞

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デジタル版 日本人名大辞典+Plusの解説

江崎玲於奈 えさき-れおな

1925- 昭和後期-平成時代の物理学者。
大正14年3月12日生まれ。昭和31年東京通信工業(現ソニー)にはいり,35年IBMワトソン中央研究所にうつり主任研究員。平成4年筑波大学長,12年芝浦工大学長,18年横浜薬科大学長。昭和32年トンネル効果にもとづくエサキダイオードを発明,48年ノーベル物理学賞。49年文化勲章。大阪出身。東京帝大卒。著作に「トンネルの長い旅路」など。

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世界大百科事典 第2版の解説

えさきれおな【江崎玲於奈】

1925(大正14)‐
物理学者。大阪市の生れ。1973年度ノーベル物理学賞受賞。74年文化勲章受章。1947年東京大学理学部物理学科を卒業後,神戸工業に入社,57年東京通信工業(現,ソニー)に移り,60年渡米しIBM研究所員となり,現在同研究所フェローとして半導体物理学の研究に従事している。1957年東京通信工業研究部で,不純物原子を多量に含んだゲルマニウムによる薄いp‐n接合を作成し,その電流電圧特性が特異な非線形特性を示すことを発見した。

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日本大百科全書(ニッポニカ)の解説

江崎玲於奈
えさきれおな
(1925― )

物理学者。トンネルダイオード、別名エサキダイオードの発明者。建築家の父壮一郎の長男として大阪で生まれ、1947年(昭和22)東京大学理学部物理学科を卒業、川西機械製作所(後の神戸工業、現在の富士通テン)に入社し、研究生活に入った。1956年東京通信工業(現、ソニー)に移り、逆耐電圧の低いpn接合ダイオードの研究を開始。1957年夏、薄いpn接合で順方向においてトンネル効果による電流が支配的になりうること、そして負性抵抗が現れることを発見し、トンネルダイオードの発明に至った。1960年アメリカのIBMワトソン中央研究所に移った。1969年人工超格子結晶概念を提起し、その後の多面的な研究を通じて、これを半導体分野の基本的な概念となるまでに発展させた。1973年「半導体におけるトンネル現象の実験的発見」によりノーベル物理学賞、翌1974年には文化勲章、1998年には日本国際賞を受けた。1992年(平成4)から1998年まで筑波大学学長を務め、2000年に芝浦工業大学学長、2006年には横浜薬科大学学長に就任した。[荒川 泓]

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世界大百科事典内の江崎玲於奈の言及

【トンネルダイオード】より

…縮退したp型およびn型半導体で形成されたp‐n接合では,空間電荷層の厚さが約100Å程度と薄いために電子のトンネル現象を生じ,順方向に電圧を加えたとき図に示すような負性抵抗を生ずるので,マイクロ波の発振,増幅や超高速スイッチングに使用される。この素子をトンネルダイオード,またはこの現象を1957年に発見した江崎玲於奈の名を冠しエサキダイオードEsaki diodeともいう。p‐n接合では電圧を加えるとトンネル効果により電流が流れ始めるが,順電圧を大きくしていくとトンネル電流が減少して負性抵抗が現れ,さらに順電圧を大きくすれば少数キャリアの注入電流が流れ出すので,電圧制御型の負性抵抗を生ずる。…

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