真性半導体にドナーやアクセプターとなる不純物を加えたもので,外来半導体ともよぶ.不純物半導体には多数キャリヤーが電子であるn型半導体と正孔であるp型半導体があり,それらの電気伝導率は室温付近において添加した不純物量にほぼ比例する.また,キャリヤーの移動度は,高温領域では格子散乱,低温領域では不純物散乱の影響を受ける.一般にn型半導体をつくるには,GeやSiでは周期表15族元素,3~15族化合物半導体では14族または16族元素を添加し,p型半導体をつくるには,GeやSiでは3族元素,3~15族半導体では2族または14族元素を加える.しかし,14族元素は3~15族化合物半導体に対して,条件しだいでドナーとしてもアクセプターとしても入ることができるため,これを両性不純物とよぶ.広い意味の不純物半導体には,故意に不純物を添加しなくても格子欠陥や過剰原子などによる準位ができ,これが不純物準位としてふるまうものも含まれる.このような例は化合物半導体によくみられ,過剰なカチオンおよびアニオンの空格子点はドナーとして,またこの逆はアクセプターとして動作することが多い.ダイオードやトランジスターをはじめ,数多くの半導体素子はこの不純物半導体の各種組合せからなっている.
出典 森北出版「化学辞典(第2版)」化学辞典 第2版について 情報
出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報
…しかし常温である程度の電気伝導性を示すためには,ギャップEGはかなり小さい必要があり,そのような物質は現実にはあまりたくさんない。そこでむしろ重要となるのが,次に述べる不純物半導体である。
[不純物半導体]
もっともよく知られているのは,5価(例えばP,Asなど)または3価(B,Ga,Inなど)の原子を不純物として加えた(ドープという)SiやGeの結晶である。…
※「不純物半導体」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」
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