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プラズマエッチング plasma etching

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

プラズマエッチング
plasma etching

半導体素子製作工程の一つであるエッチングを低温ガスプラズマ中で行うもので,従来の化学エッチングに比べて,同時に大量に処理でき,鮮明なエッジが得られ,工程が簡単になる。これを用いると半導体素子作製に化学薬品や水を使用しないドライプロセスが達成できる。通常,石英またはアルミ製反応管に 0.1~10トルのハロゲン系ガス (主としてフッ素化合物,たとえば CF4 ) などを入れ,外側のコイルあるいは対向電極に 13.56MHzの高周波電力を与えて反応管中に低温のガスプラズマを製作し,その中にできるハロゲン系の活性化学種によりシリコン (ケイ素) あるいは二酸化シリコン,四窒化三シリコンなどをエッチングする。エッチング速度は,ガスの組成,ガスプラズマの濃度,エッチされる物質により変化する。

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デジタル大辞泉の解説

プラズマ‐エッチング(plasma etching)

プラズマを用いて、半導体集積回路などの微細回路を作製する方法。プラズマ中に試料をさらすことにより、不必要な部分の原子を化学的または物理的に取り去る。特に、プラズマ中の活性イオンと反応気化させて不要原子を取り去るプロセスを反応性イオンエッチング(RIE)と呼ぶ。→ドライエッチング

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