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プラズマエッチング プラズマエッチング plasma etching

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

プラズマエッチング
プラズマエッチング
plasma etching

半導体素子製作工程の一つであるエッチングを低温ガスプラズマ中で行うもので,従来の化学エッチングに比べて,同時に大量に処理でき,鮮明なエッジが得られ,工程が簡単になる。これを用いると半導体素子作製に化学薬品や水を使用しないドライプロセスが達成できる。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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デジタル大辞泉の解説

プラズマ‐エッチング(plasma etching)

プラズマを用いて、半導体集積回路などの微細回路を作製する方法。プラズマ中に試料をさらすことにより、不必要な部分の原子を化学的または物理的に取り去る。特に、プラズマ中の活性イオンと反応気化させて不要原子を取り去るプロセスを反応性イオンエッチング(RIE)と呼ぶ。→ドライエッチング

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