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化学蒸着 かがくじょうちゃく chemical vapor deposition

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ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典の解説

化学蒸着
かがくじょうちゃく
chemical vapor deposition

略称 CVD。機能性材料や半導体材料にかかわる,基板上への薄膜作製技術の一つ。熱 CVDが最も古くからある。その原理は,ハロゲン化物のような蒸気圧の高いガスを,水素をキャリアガスとして,窒素や炭素あるいは酸素を含む反応性ガスとともに反応炉に送り込み,高温化学反応を起させて,窒化チタン TiN,炭化チタン TiC,アルミナ Al2O3 などのセラミック皮膜を形成させるものである。

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出典|ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典
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世界大百科事典 第2版の解説

かがくじょうちゃく【化学蒸着 chemical vapor deposition】

略称CVD。水溶液を使わないめっき法の一種で,気相物質間の化学反応で被処理材の表面に金属または化合物の皮膜を形成させる技術をいう。被処理材表面(基板)が反応に対してよい触媒活性を保つような条件になっていることが必要で,基板温度,送入ガス濃度,ガス組成,系内の圧力などが,生成する皮膜の性状に大きく影響する。タングステンW,モリブデンMoのような難蒸発性の金属や,アルミナAl2O3炭化ケイ素SiCといった化合物など,蒸着可能な物質は多種多様である。

出典|株式会社日立ソリューションズ・クリエイト
All Rights Reserved. Copyright (C) 2015, Hitachi Solutions Create,Ltd. 収録データは1998年10月に編集製作されたものです。それぞれの用語は執筆時点での最新のもので、常に最新の内容であることを保証するものではありません。また、本文中の図・表・イラストはご提供しておりません。

大辞林 第三版の解説

かがくじょうちゃく【化学蒸着】

出典|三省堂
(C) Sanseido Co.,Ltd. 編者:松村明 編 発行者:株式会社 三省堂 ※ 書籍版『大辞林第三版』の図表・付録は収録させておりません。 ※ それぞれの用語は執筆時点での最新のもので、常に最新の内容であることを保証するものではありません。

世界大百科事典内の化学蒸着の言及

【集積回路】より

…しかしVLSIではこの技術でも不十分になってきており,酸化膜をほぼ完全に基板の中に埋め込む新しい技術が開発されている。(2)化学的膜形成chemical vapor deposition(略してCVD) 原料元素を含む気体化合物を特定の温度に保ったウェーハー周囲に流し,化学変化によってウェーハー上で微粒子状の固体物質を析出,沈着させ,堆積により膜を形成する方法である。通常はシランガスSiH4を原料とし,多結晶シリコン膜の場合には分解で,シリコン酸化膜の場合には酸素との反応で,またシリコン窒化膜の場合にはアンモニアガスとの反応により析出させる。…

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