化学蒸着（読み）かがくじょうちゃく（その他表記）chemical vapor deposition

改訂新版　世界大百科事典

化学蒸着 (かがくじょうちゃく)
chemical vapor deposition

略称CVD。水溶液を使わないめっき法の一種で，気相物質間の化学反応で被処理材の表面に金属または化合物の皮膜を形成させる技術をいう。被処理材表面（基板）が反応に対してよい触媒活性を保つような条件になっていることが必要で，基板温度，送入ガス濃度，ガス組成，系内の圧力などが，生成する皮膜の性状に大きく影響する。タングステンW，モリブデンMoのような難蒸発性の金属や，アルミナAl₂O₃，炭化ケイ素SiCといった化合物など，蒸着可能な物質は多種多様である。基板を高温にする必要があるなどの点で被処理材の選択は限られるが，イオンプレーティングと並んで，高度な機能を要求される場合に多用される。
→拡散被覆
執筆者：増子 昇

出典　株式会社平凡社「改訂新版　世界大百科事典」

ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

化学蒸着
かがくじょうちゃく
chemical vapor deposition

略称 CVD。機能性材料や半導体材料にかかわる，基板上への薄膜作製技術の一つ。熱 CVDが最も古くからある。その原理は，ハロゲン化物のような蒸気圧の高いガスを，水素をキャリアガスとして，窒素や炭素あるいは酸素を含む反応性ガスとともに反応炉に送り込み，高温化学反応を起させて，窒化チタン TiN，炭化チタン TiC，アルミナ Al₂O₃ などのセラミック皮膜を形成させるものである。最近では処理温度を低くして反応性を高めるプラズマ CVDやレーザー光を用いた光 CVDが現れている。

出典　ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典

世界大百科事典（旧版）内の化学蒸着の言及

【集積回路】より

…しかしVLSIではこの技術でも不十分になってきており，酸化膜をほぼ完全に基板の中に埋め込む新しい技術が開発されている。(2)化学的膜形成chemical vapor deposition(略してCVD)　原料元素を含む気体化合物を特定の温度に保ったウェーハー周囲に流し，化学変化によってウェーハー上で微粒子状の固体物質を析出，沈着させ，堆積により膜を形成する方法である。通常はシランガスSiH₄を原料とし，多結晶シリコン膜の場合には分解で，シリコン酸化膜の場合には酸素との反応で，またシリコン窒化膜の場合にはアンモニアガスとの反応により析出させる。…

※「化学蒸着」について言及している用語解説の一部を掲載しています。

出典｜株式会社平凡社「世界大百科事典（旧版）」