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出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報
…パターン形成した表面の膜は,イオン注入に対するマスクとなる。このマスクには二酸化シリコンSiO2,窒化シリコンSiN4,アルミニウムAlの蒸着膜および後述のフォトレジストが用いられる。このような方法で,例えばp型シリコン基板にリンP,またはヒ素Asのイオンを注入してn型領域を形成し,ここをp‐n接合とすることができる。…
…現在ではとくにエレクトロニクスの分野では欠かすことのできない技術となり,各分野で広範囲に利用されている。 工程としては基板上に感光性をもつフォトレジスト層を設け,写真原版よりパターンを露光,必要部分を残して溶解除去し,エッチングまたはめっき方法により微細加工する(前者をフォトエッチング,後者をフォトエレクトロフォーミングという)。写真原版は希望する図柄を伸縮の少ないフィルム上に拡大して描き,その原図を特殊な縮写用カメラで通常数百分の1の大きさに縮写し,多面付けして作成する。…
※「フォトレジスト」について言及している用語解説の一部を掲載しています。
出典|株式会社平凡社「世界大百科事典(旧版)」
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