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トランジスター(英語表記)transistor

翻訳|transistor

百科事典マイペディアの解説

トランジスター

ゲルマニウム,シリコン等の半導体の電気伝導特性を利用し発振,増幅,スイッチング等の作用を行わせる電気回路素子。電界効果トランジスターバイポーラートランジスターがある。バイポーラー型は1個の半導体結晶の電導形式をn-p-nまたはp-n-pにしたもので,通常は一方のp-n接合が順方向にバイアスされ(エミッター接合),他方のp-n接合が逆方向にバイアスされ(コレクター接合)ている。エミッターベースの間に信号を入力し,コレクターとベースの間から増幅された信号を取り出す。バイポーラー型は1948年にアメリカのJ.バーディン,W.ブラッタンにより点接触型トランジスターとして報告され,1949年にはW.ショックレーによりpn接合による理論,ついで成長接合トランジスターの試作が発表された。接合型に結晶を作る途中で他の金属を入れる成長型,金属を溶融させる合金型,金属蒸気を送って内部に混入させる拡散型などがある。トランジスターは小型・軽量で低電圧,小電力で動作し,寿命が長いなどの利点があり,トランジスターラジオなど各種の電気製品が作られた。ICにも組み込まれ,コンピューターなどの電子機器に使用されている。→メサトランジスター
→関連項目真空管トランジスターモーター能動素子

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世界大百科事典 第2版の解説

トランジスター【transistor】

半導体を用いた能動素子。バイポーラートランジスターと電界効果トランジスターがある。電界効果トランジスターは,アメリカのリニエンフェルドJ.E.Linienfeldにより1928年に特許が提出されているが,バイポーラートランジスターは,48年にバーディーンJ.BardeenおよびブラッテンW.Brattainにより点接触トランジスターの形で報告されたものが最初で,その後49年にはショックリーW.Shockleyによりp‐n接合およびp‐n接合を用いたトランジスターの理論が発表され,次いで成長接合トランジスターの試作が発表された。

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